高出力アプリケーション向けの熱効率のよい表面実装型リードレスTO-LLパッケージ
TO-LLパッケージは、熱管理、電流能力、およびPCBスペースの間で優れたバランスを実現します。TO-LLパッケージの低いRthj-ambをサーマル･ビアとホスト･ボードの底部ヒートシンクに統合することにより、設計時にSMDやスルーホール･パッケージと比べてPCBスペースを縮小し、熱管理を効率化できます。
また、パッケージの追加のケルビン･ソース･リードにより、ターンオン / ターンオフ･スイッチング損失が減少するため、高効率な設計も可能になります。
もう1つの重要な特徴は、ドレインとソース･パッド間の2.7mmの沿面距離です。これにより、デバイスのブレークダウン定格を超える電圧イベントによって引き起こされる障害に対して優れた絶縁と保護を確保できます。
STは、サーバ、通信データ･センター、スイッチング電源、ソーラー･マイクロインバータ向けに、TO-LLパッケージに格納されたMDmesh M6（600V）およびMDmesh DM6（600V～650V）スーパージャンクション型MOSFETを提供しています。TO-LLパッケージのデバイスのアプリケーション範囲は、最新のMDmesh M9およびDM9シリーズSTPOWER MOSFETの追加によって拡大されることになります。
また、パッケージの追加のケルビン･ソース･リードにより、ターンオン / ターンオフ･スイッチング損失が減少するため、高効率な設計も可能になります。
もう1つの重要な特徴は、ドレインとソース･パッド間の2.7mmの沿面距離です。これにより、デバイスのブレークダウン定格を超える電圧イベントによって引き起こされる障害に対して優れた絶縁と保護を確保できます。
STは、サーバ、通信データ･センター、スイッチング電源、ソーラー･マイクロインバータ向けに、TO-LLパッケージに格納されたMDmesh M6（600V）およびMDmesh DM6（600V～650V）スーパージャンクション型MOSFETを提供しています。TO-LLパッケージのデバイスのアプリケーション範囲は、最新のMDmesh M9およびDM9シリーズSTPOWER MOSFETの追加によって拡大されることになります。
主な特徴とメリット
- 同じ内部面積のD2PAKと比べてプリント基板の占有面積を削減
- 薄型化：2.3mm
- 大型の放熱ドレイン･パッド
アプリケーション例
- 追加のケルビン･ソース･ピン
- 長い沿面距離：2.7mm
5Gデータ･センター
サーバ & 通信スイッチング電源
太陽光発電
関連情報
大電力向け表面実装型リードレスTO-LLパッケージ
製品ビデオ
STは、小型で熱効率に優れた新しいパッケージを採用した高電圧MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETを提供しています。表面実装型TO-LLパッケージは、スイッチング電源、データ･センター、ソーラー･マイクロインバータなどの電力変換アプリケーションで優れた電力効率、熱効率、小型省スペース性を発揮します。追加のケルビン･ソース･リードにより、ターンオン / ターンオフ･スイッチング損失が減少するため、効率を高めた設計が可能になります。
TO-LL：最先端の表面実装型（SMD）パッケージ
パンフレット
省スペースで熱効率に優れたリードレスTO-LLパッケージを採用した新しいSTPOWER MOSFETスーパージャンクションMDmesh* M6およびMDmesh DM6シリーズは、電源コンバータの小型化を実現します。追加のケルビン･ソース･リードにより、ターンオン / ターンオフ･スイッチング損失が減少するため、効率を高めた設計が可能になります。
高レベル通信スイッチング電源の最先端のTO-LLパッケージとMDmesh M6
学術論文
この論文では、STの新しい表面実装型（SMD）パッケージであるTOリードレス（TO-LL）とその熱管理、基板面積、スイッチング性能、リードの寄生インダクタンス面でのメリットを紹介しています。この革新的なSMDパッケージと最新のスーパージャンクション･テクノロジーのおかげで、PFC向けのMDmesh M6とLLC向けのMDmesh DM6は...
熱効率に優れた小型TO-LLパッケージ
製品カタログ
省スペースで熱効率に優れたリードレスTO-LLパッケージを採用した新しいSTPOWER MOSFETスーパージャンクションMDmesh(*) M6およびMDmesh DM6シリーズは、電源コンバータの小型化を実現します。追加のケルビン･ソース･リードにより、ターンオン / ターンオフ･スイッチング損失が減少するため、効率を高めた設計が可能になります。
