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超音波診断装置は、プローブを使用して(非可聴域の)音波を患者の皮膚に直接印加し、さまざまな組織や臓器に接する際にそのエコーによって生じる伝播時間と振幅の差を解析することで機能します。

このような非破壊的技術は、リアルタイムの画像を生成し、心エコー検査や胎児診断などの用途で便利に利用できます。

再生画像の品質を確保する上で鍵となるのは、プローブが(通常、圧電トランスデューサを使用して)同時に処理できるピクセル数、および空間的・時間的に波形の焦点を合わせる機能(ビームフォーミング)です。

STは、圧電トランスデューサを励起するために使用される最先端のマルチチャネル高電圧送信パルサーICを提供して、高精度のビームフォーミングの実装をサポートしています。

さらに、高性能マイクロコントローラSTM32、ダイオードやパワーMOSFETなどのパワー・ディスクリート・デバイス、AC-DC/DC-DCパワー・マネージメントIC、有線/無線通信ソリューション(Bluetooth®通信を含む)の提供により、革新的な超音波診断装置の開発をサポートしています。

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4930
      500 W fully digital AC-DC power supply (D-SMPS) evaluation board
      1.0
      8.73 MB
      PDF
      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN5046
      Printed circuit board assembly recommendations for STMicroelectronics PowerFLAT packages
      4.0
      4.82 MB
      PDF
      AN4930

      500 W fully digital AC-DC power supply (D-SMPS) evaluation board

      AN4391

      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications

      AN5046

      Printed circuit board assembly recommendations for STMicroelectronics PowerFLAT packages

Publications and Collaterals

    • Description バージョン サイズ アクション
      400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode 1.0
      342.97 KB
      PDF
      600-650 V MDmesh™ M2: The ST’s new Super-junction HV MOSFET series 1.0
      671.31 KB
      PDF
      L6984, L6986 Energy saving synchronous DC-DC converters for industrial
      1.24 MB
      PDF
      Octal ultrasound pulser High-voltage, high-speed STHV800
      276.81 KB
      PDF
      STSAFE-A Optimized Secure Solution for authentication in IoT
      634.69 KB
      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode

      600-650 V MDmesh™ M2: The ST’s new Super-junction HV MOSFET series

      L6984, L6986 Energy saving synchronous DC-DC converters for industrial

      Octal ultrasound pulser High-voltage, high-speed STHV800

      STSAFE-A Optimized Secure Solution for authentication in IoT

    • Description バージョン サイズ アクション
      Linear and Switching Voltage Regulators Selection Guide 3.0
      370.88 KB
      PDF

      Linear and Switching Voltage Regulators Selection Guide

    • Description バージョン サイズ アクション
      パワー・マネージメントガイド 2017 09.2018
      2.64 MB
      PDF
      Semiconductor solutions for healthcare applications 1.0
      665.18 KB
      PDF

      パワー・マネージメントガイド 2017

      Semiconductor solutions for healthcare applications

MEMS and Sensors

Part number Description
H3LIS331DL Low power High-g 3-axis accelerometer, SPI/I2C digital output MEMS motion sensor, user-selectable full scales of ±100g/±200g/±400g
IIS2DH 3-axis digital accelerometer, ultra low-power high performance MEMS motion sensor
IIS2MDC High accuracy, ultra-low-power ,3-axis digital output magnetometer
IIS3DHHC High-resolution, high-stability 3-axis digital inclinometer for industrial applications
ISM330DLC iNEMO inertial measurement unit (IMU): 3D accelerometer and 3D gyroscope with digital output for industrial applications
STTS751 2.25 V low-voltage local digital temperature sensor
Part number
Low power High-g 3-axis accelerometer, SPI/I2C digital output MEMS motion sensor, user-selectable full scales of ±100g/±200g/±400g
3-axis digital accelerometer, ultra low-power high performance MEMS motion sensor
High accuracy, ultra-low-power ,3-axis digital output magnetometer
High-resolution, high-stability 3-axis digital inclinometer for industrial applications
iNEMO inertial measurement unit (IMU): 3D accelerometer and 3D gyroscope with digital output for industrial applications
2.25 V low-voltage local digital temperature sensor

Power Transistors

Part number Description
STL100N8F7 N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0016 Ohm typ., 33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
STL20N6F7 N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
STL45P3LLH6 P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL50N6F7 N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 60 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Part number
N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
N-channel 30 V, 0.0016 Ohm typ., 33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 60 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Switches and Multiplexers

Part number Description
STHV1600 16 channels ±100 V, ±2/4 A, 5/3-level RTZ, high-speed ultrasound pulser with integrated transmit beamformer
STHV748S Quad +/- 90 V, +/- 2 A, 3/5 level, ESD-enhanced high-speed ultrasound pulser
STHV800 Octal ±90 V, ±2 A, 3-level RTZ, high-speed ultrasound pulser
Part number
16 channels ±100 V, ±2/4 A, 5/3-level RTZ, high-speed ultrasound pulser with integrated transmit beamformer
Quad +/- 90 V, +/- 2 A, 3/5 level, ESD-enhanced high-speed ultrasound pulser
Octal ±90 V, ±2 A, 3-level RTZ, high-speed ultrasound pulser