超音波診断装置は、プローブを使用して（非可聴域の）音波を患者の皮膚に直接印加し、さまざまな組織や臓器に接する際にそのエコーによって生じる伝播時間と振幅の差を解析することで機能します。
このような非破壊的技術は、リアルタイムの画像を生成し、心エコー検査や胎児診断などの用途で便利に利用できます。
再生画像の品質を確保する上で鍵となるのは、プローブが（通常、圧電トランスデューサを使用して）同時に処理できるピクセル数、および空間的･時間的に波形の焦点を合わせる機能（ビームフォーミング）です。
STは、圧電トランスデューサを励起するために使用される最先端のマルチチャネル高電圧送信パルサーICを提供して、高精度のビームフォーミングの実装をサポートしています。
さらに、高性能マイクロコントローラSTM32、ダイオードやパワーMOSFETなどのパワー･ディスクリート･デバイス、AC-DC/DC-DCパワー･マネージメントIC、有線/無線通信ソリューション（Bluetooth®通信を含む）の提供により、革新的な超音波診断装置の開発をサポートしています。
MEMS and Sensors
| Part number | Description |
|---|---|
| H3LIS331DL | Low power High-g 3-axis accelerometer, SPI/I2C digital output MEMS motion sensor, user-selectable full scales of ±100g/±200g/±400g |
| IIS2DH | 3-axis digital accelerometer, ultra low-power high performance MEMS motion sensor |
| IIS2MDC | High accuracy, ultra-low-power ,3-axis digital output magnetometer |
| IIS3DHHC | High-resolution, high-stability 3-axis digital inclinometer for industrial applications |
| ISM330DLC | iNEMO inertial measurement unit (IMU): 3D accelerometer and 3D gyroscope with digital output for industrial applications |
| STTS751 | 2.25 V low-voltage local digital temperature sensor |
Part number
Low power High-g 3-axis accelerometer, SPI/I2C digital output MEMS motion sensor, user-selectable full scales of ±100g/±200g/±400g
3-axis digital accelerometer, ultra low-power high performance MEMS motion sensor
High accuracy, ultra-low-power ,3-axis digital output magnetometer
High-resolution, high-stability 3-axis digital inclinometer for industrial applications
iNEMO inertial measurement unit (IMU): 3D accelerometer and 3D gyroscope with digital output for industrial applications
2.25 V low-voltage local digital temperature sensor
Power Transistors
| Part number | Description |
|---|---|
| STL100N8F7 | N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package |
| STL150N3LLH6 | N-channel 30 V, 0.0016 Ohm typ., 33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package |
| STL20N6F7 | N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package |
| STL45P3LLH6 | P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package |
| STL50N6F7 | N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 60 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package |
Part number
N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
N-channel 30 V, 0.0016 Ohm typ., 33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 60 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
