2トランジスタ･フォワードでは、1次側の2つのトランジスタがスイッチ･オンされ、電力がトランスの2次巻線に送られた後、出力コンデンサと負荷に送られます。スイッチ･オフされると、1次側のダイオードはトランジスタのピーク電圧を入力電圧でクランプし、したがって同時にストレスを低減します。
2トランジスタ･フォワード･トポロジは、サーバや通信用スイッチング電源（SMPS）でメイン･ステージDC-DCコンバータとして使用されることがよくあり、またアーク溶接機器でもよく使用されます。
開発者が2トランジスタ･フォワード･コンバータの利点をフル活用できるように、STは、幅広いパワーMOSFETやダイオード、高電圧およびガルバニック絶縁型ゲート･ドライバ、1次PWM/同期整流コントローラに加え、高性能マイクロコントローラSTM32とさまざまな専用ペリフェラル（高分解能PWMタイマや高速ADコンバータなど）、およびハードウェアとソフトウェアの評価および開発ツールやリファレンス設計を提供しています。
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開発ツール･ハードウェア
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写真 品名 製造元 概要 ST MOSFET Finder ST MOSFET product finder application for Android and iOS 
ST-DIODE-FINDER ST Diode product finder application for Android and iOS ST-VREG-FINDER ST Linear and switching voltage regulators and voltage reference applications for smartphones and tablets 製品型番MOSFET product finder application for Android and iOS
Diode product finder application for Android and iOS
Linear and switching voltage regulators and voltage reference applications for smartphones and tablets
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eDesignSuite
Diodes and Rectifiers
| 品名 | 概要 |
|---|---|
| FERD20U60DJFD | 60 V, 20 A PowerFLAT Ultra-Low Vf Field-Effect Rectifier Diode (FERD) |
| FERD40H100S | 100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD) |
| STPS10150C | 150 V, 10 A dual Power Schottky Rectifier |
| STPSC16H065A | 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
| STPSC5H12 | 1200 V, 5 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
| STTH3002C | 200 V, 30 A dual Ultrafast Diode |
品名
60 V, 20 A PowerFLAT Ultra-Low Vf Field-Effect Rectifier Diode (FERD)
100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD)
150 V, 10 A dual Power Schottky Rectifier
650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
1200 V, 5 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
200 V, 30 A dual Ultrafast Diode
Power Transistors
| 品名 | 概要 |
|---|---|
| STB5N80K5 | N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package |
| STF140N6F7 | N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package |
| STF24N60M2 | N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
| STGP20V60F | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
| STGW60H65FB | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed |
| STGWA15H120DF2 | Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
| STH140N8F7-2 | N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package |
| STP40N60M2 | N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
品名
N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
