STは、さまざまな車載システムの要件に対応する車載用パワーMOSFETを幅広く提供しています。AEC-Q101準拠のパワーMOSFETは、-80V（Pチャネル）～1200 V（Nチャネル）のブレークダウン電圧に対応し、設計の柔軟性を高めるために最も一般的なパッケージ･オプションで提供されています。
低オン抵抗、優れたスイッチング性能、高品質、高アバランシェ耐性を兼ね備え、より堅牢で信頼性の高い、電力効率に優れた車載用システムを実現します。
主な特徴
- -80V～1200V車載グレード対応のエンハンス型パワーMOSFET
- プレーナ、先進的なトレンチ、およびスーパージャンクション技術によるスイッチング損失と導通損失の低減）
- 標準レベルおよびロジック･レベルのゲート-ソース閾値電圧（VGS(th)）
- 動作時最大接合部温度（TJ（最大））：175℃および150℃
- 幅広いパワー･パッケージ（大電流容量）
注目ビデオ
STMicroelectronics presents ACEPACK SMIT: a surface-mount power module with top-side cooling, which ensures higher power density and improved thermal management for very efficient and more compact systems.
Featuring the ultra low on-state resistance