STは、さまざまな車載システムの要件に対応する車載用パワーMOSFET製品を幅広く提供しています。AEC-Q101準拠のMOSFETとして、ブレークダウン電圧が-80V(Pチャネル)~1200 V(Nチャネル)の製品を、最も一般的なパッケージ・オプションで提供することで、設計の柔軟性を高めます。
低いオン抵抗および優れたスイッチング性能と、高品質、高アバランシェ耐性を同時に備えることで、より堅牢で信頼性の高い、電力効率に優れた車載用システムを実現します。
主な特徴
- -80V~1200 V車載グレード対応のエンハンス型パワーMOSFET
- プレーナ、先進的なトレンチ、およびスーパージャンクション技術によるスイッチング損失と導通損失の低減
- 標準レベルおよびロジック・レベルのゲート-ソース閾値電圧(VGS(th))
- 最大動作温度(TJ(Max)): 175°Cおよび150°C
- 幅広いパワー・パッケージ(大電流容量)