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車載用パワーMOSFET

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STは、さまざまな車載システムの要件に対応する車載用パワーMOSFET製品を幅広く提供しています。AEC-Q101準拠のMOSFETとして、ブレークダウン電圧が-80V（Pチャネル）～1200 V（Nチャネル）の製品を、最も一般的なパッケージ･オプションで提供することで、設計の柔軟性を高めます。

低いオン抵抗および優れたスイッチング性能と、高品質、高アバランシェ耐性を同時に備えることで、より堅牢で信頼性の高い、電力効率に優れた車載用システムを実現します。

主な特徴

  • -80V～1200 V車載グレード対応のエンハンス型パワーMOSFET
  • プレーナ、先進的なトレンチ、およびスーパージャンクション技術によるスイッチング損失と導通損失の低減
  • 標準レベルおよびロジック･レベルのゲート-ソース閾値電圧（VGS（th））
  • 最大動作温度（TJ（Max））: 175°Cおよび150°C
  • 幅広いパワー･パッケージ（大電流容量）

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