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STは、さまざまな車載システムの要件を満足する車載用パワーMOSFET製品を幅広く取り揃えています。AEC-Q101 MOSFETとして、ブレークダウン電圧が-80V(Pチャネル)から最大1000V(Nチャネル)の製品を最も一般的なパッケージ・オプションで提供することで、設計の柔軟性を高めます。低いオン抵抗、優れたスイッチング性能と高品質、高アバランシェ耐性を同時に備えることで、より堅牢で信頼性の高い、電力効率に優れた車載システムを実現します。

主な特徴

  • 耐圧-80V ~ 1000V:オートモーティブ・グレードのエンハンス型パワーMOSFET
  • プレーナ、先進のトレンチおよびスーパージャンクション技術によるスイッチング損失と導通損失の低減
  • 標準レベルおよびロジック・レベルのゲート-ソース閾値電圧(VGS(th)
  • 動作時最大接合部温度(TJ(Max)):175°Cおよび150°C
  • 幅広いパワー・パッケージ(大電流容量)

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