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車載用パワーMOSFET

STは、さまざまな車載システムの要件に対応する車載用パワーMOSFETを幅広く提供しています。AEC-Q101準拠のパワーMOSFETは、-80V(Pチャネル)~1200 V(Nチャネル)のブレークダウン電圧に対応し、設計の柔軟性を高めるために最も一般的なパッケージ・オプションで提供されています。

低オン抵抗、優れたスイッチング性能、高品質、高アバランシェ耐性を兼ね備え、より堅牢で信頼性の高い、電力効率に優れた車載用システムを実現します。

主な特徴

  • -80V~1200V車載グレード対応のエンハンス型パワーMOSFET
  • プレーナ、先進的なトレンチ、およびスーパージャンクション技術によるスイッチング損失と導通損失の低減)
  • 標準レベルおよびロジック・レベルのゲート-ソース閾値電圧(VGS(th)
  • 動作時最大接合部温度(TJ(最大)):175℃および150℃
  • 幅広いパワー・パッケージ(大電流容量)