STPSC10H12-Y

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Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode, available in TO-220AC and D²PAK, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • PPAP capable
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • ECOPACK®2 compliant

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パッケージ

TO-220AC

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175

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CHINA

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製品ステータス

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パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Junction Temperature (°C) (max)

175

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11653
      Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode
      2.0
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      DS11653

      Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      7.0
      433.12 KB
      PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STPSC10H12-Y PSpice model (.lib & .olb) 1.0
      55.17 KB
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      STPSC10H12-Y PSpice model (.lib & .olb)

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
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      1.46 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H12DY
量産中
TO-220AC Automotive Ecopack2
STPSC10H12GY-TR
量産中
D2PAK Automotive Ecopack2

STPSC10H12DY

Package:

TO-220AC

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Marketing Status

量産中

Package

TO-220AC

Grade

Automotive

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Package

D2PAK

Grade

Automotive

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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