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STPSC12H065C

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650 V, 12 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in interleaved or bridge-less topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • High forward surge capability
    • ECOPACK®2 compliant component
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STPSC12H065CT
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CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9753
      650 V power Schottky silicon carbide diode       		3.0
      164.84 KB
      		PDF
      DS9753

      650 V power Schottky silicon carbide diode

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes       		2.0
      4.75 MB
      		PDF
      		AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations       		2.0
      2.32 MB
      		PDF
      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      PDF
      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches       		7.0
      433.12 KB
      		PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
      102.88 KB
      		ZIP

      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

      ZIP

Presentations & Training Material

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      		PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      626.4 KB
      		PDF
      		1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
      		PDF
      		Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      		Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
      879.18 KB
      		PDF
      		ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
      1.46 MB
      		PDF
      		Silicon-carbide diodes 1.0
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      		PDF

      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC12H065CT
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TO-220AB Industrial Ecopack2

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Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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TO-220AB

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Industrial

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