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  • The STPSC20065C is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

    Key Features

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Low Forward voltage drop
    • Operating Tj from -40 °C to +175 °C
    • ECOPACK2 compliant component
    • Power efficient product

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製品ステータス
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Junction Temperature (°C) (max)
ECCN (US)
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STPSC20065CWL
アクティブ
2.701 100 TO-247 long leads Tube 175 EAR99 PHILIPPINES 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STPSC20065CWL

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2.701

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数量

100

パッケージ

TO-247 long leads

梱包タイプ

Tube

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175

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PHILIPPINES

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    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12994
      650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode
      1.0
      223.48 KB
      PDF
      DS12994

      650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      6.0
      444.57 KB
      PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
      99.21 KB
      ZIP

      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
      751.57 KB
      PDF

      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STPSC20065CWL
アクティブ
TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STPSC20065CWL

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.