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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature and are ideal for automotive applications.

    Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • AEC-Q101 qualified
    • ECOPACK®2 compliant component
    • PPAP capable

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      DS10438
      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
      2.0
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      DS10438

      Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
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      AN5088
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      6.0
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      Automotive-grade 650 V SiC diodes boost the performance of power converters 2.0
      853.06 KB
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      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      Diode solutions for on-board battery charger (OBC) applications For input bridge, power factor correction and LLC topologies (1-page summary) 1.0
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      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC20H065CTY
Active
TO-220AB オートモーティブ Ecopack2
STPSC20H065CWY
Active
TO-247 オートモーティブ Ecopack2

STPSC20H065CTY

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