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高電圧の車載用SiC(シリコン・カーバイド)ダイオードは、ハイブリッド自動車(HEV)や純電気自動車(EV)における電力効率の向上や航続距離の延長を実現する上できわめて重要です。

PFC(力率改善)回路や、オンボード・チャージャ、およびモータ・ドライブに最適なSTの車載用SiCダイオードは、高いサージ耐性(IFSM)による優れた堅牢性を特徴とします。650Vパワー・ショットキー車載用SiCダイオードは、きわめて低いスイッチング損失を特徴としています。また、低VF SiCダイオード シリーズでは、最高速の600Vファストリカバリ・シリコン・ダイオードと比べ、VF が少なくとも150mV改善されています。パッケージは、TO-220AC、DO-247、およびTO-247で提供されています。また、AEC-Q101に準拠しており、ご要望に応じてPPAPにも対応可能です。

2020年末には、1200Vの車載用SiCダイオードの新製品 (6A~20A) がさまざまなパッケージで提供される予定です。 
SiCダイオードはSTPOWER™ファミリの製品です。


1200 V SiC automotive-grade diodes with the lowest forward voltage drop ever

The  new AEC-Q101 1200 V SiC diodes – 10-, 15- and 20-amp rated – are ideal for use in high-power applications such as charging stations, OBC, power supplies, and motor drives. Their surge capability for a 10 ms pulse is in the range of 7 times the diodes’ nominal current, and confers these 1200 V silicon-carbide diodes the state-of-the-art robustness. With a typical forward voltage drop (V F) of 1.35 V at nominal current and room temperature, they set the highest level/standard on the market. Available in D²PAK and TO-220AC packages, the  STPSC10H12-YSTPSC15H12-Y and  STPSC20H12-Y fulfill the automotive robustness and performance requirements.

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