Automotive-grade Silicon Carbide diodes  

電力効率の向上だけでなく、ハイブリッド車（HEV）や電気自動車（EV）における運転時間の延長を追求するために、高電圧シリコン・カーバイド・ダイオードは、電源設計者にとって大変重要です。

力率改善（PFC）回路、車載充電器（OBC）およびモータ駆動に最適なSTの車載対応SiCダイオードは、実証された高い耐サージ性能（IFSM）により、堅牢性を保証します。STの車載対応650 Vパワー･ショットキーSiCダイオードのスイッチング損失は、、限りなくゼロ近くまで低減しています。その次の新しい低VF SiC シリーズは、最高速の600V超高速シリコン･ダイオードと比べてVF が少なくとも150mV改善されています。パッケージは、TO-220AC、DO-247、およびTO-247で提供されています。また、AEC-Q101に準拠しており、ご要望に応じてPPAPにも対応可能です。

1200Vの車載対応SiCダイオードの新製品 （6～20A） が、今年末に様々なパッケージで提供される予定です。

Performance comparison curve between 600 V Si, Ultrafast tandem and Si diodes

1200 V SiC automotive-grade diodes with the lowest forward voltage drop ever

The  new AEC-Q101 1200 V SiC diodes – 10-, 15- and 20-amp rated – are ideal for use in high-power applications such as charging stations, OBC, power supplies, and motor drives. Their surge capability for a 10 ms pulse is in the range of 7 times the diodes’ nominal current, and confers these 1200 V silicon-carbide diodes the state-of-the-art robustness. With a typical forward voltage drop (V F) of 1.35 V at nominal current and room temperature, they set the highest level/standard on the market. Available in D²PAK and TO-220AC packages, the  STPSC10H12-Y,  STPSC15H12-Y and  STPSC20H12-Y fulfill the automotive robustness and performance requirements.

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