STPSC30G12-Y

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Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode

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製品概要

概要

The SiC diode, available in DO-247 with long leads, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions while bringing robustness to the design. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified and PPAP capable
    • None or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high voltage periphery
    • Operating Tj from -55 °C to 175 °C
    • Avalanche energy rated
    • ECOPACK2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC30G12-Y

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC30G12WLY
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DO247 LONG LEADS オートモーティブ Ecopack2

STPSC30G12WLY

Package:

DO247 LONG LEADS

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

DO247 LONG LEADS

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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ECCN (US):
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175

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