STPSC8H065-Y

量産中
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Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, the STPSC8H065-Y SiC diode will boost performance in hard switching conditions.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No reverse recovery charge in application current range
    • Switching behavior independent of temperature
    • Recommended to PFC applications
    • PPAP capable
    • VRRM guaranteed from -40 to 175 °C
    • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. (with top coating)
    • ECOPACK®2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC8H065-Y

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC8H065BY-TR
量産中
DPAK オートモーティブ Ecopack2
STPSC8H065G2Y-TR
量産中
D2PAK HV オートモーティブ Ecopack2

STPSC8H065BY-TR

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

STPSC8H065G2Y-TR

Package:

D2PAK HV

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

D2PAK HV

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STPSC8H065G2Y-TR
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パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

STPSC8H065G2Y-TR

Operating Temperature (°C)

最小:

最大:

Junction Temperature (°C) (max):

175

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最小:

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