650 V, 8 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimized capacitive charge at turn-off behavior is independent of temperature.

    Especially suited for use in interleaved or bridge-less topologies, this dual-diode rectifier will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • High forward surge capability

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      DS9752
      650 V power Schottky silicon carbide diode
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      650 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      TN1173
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC8H065CT
アクティブ
TO-220AB インダストリアル Ecopack2

STPSC8H065CT

Package:

TO-220AB

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