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ST's STTH12S06 is a state of the art Ultrafast recovery diode. By the use of 600 V Pt doping Planar technology, this diode will outperform the power factor correction circuits operating in hardswitching conditions. The extremely low reverse recovery current of the STTH12S06, reduces significantly the switching power losses of the MOSFET, and thus increases the efficiency of the application. This allows designers to reduce the size of their heatsinks.
This device is also intended for applications in power supplies and power conversions systems, and other power switching applications.
主な特徴
- Insulated voltage: 1500 VRMS
- Ultrafast recovery
- Reduces losses in diode and switching transistor
- Low reverse recovery current
- Higher frequency operation
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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| 25 Sep 2020 |
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アプリケーションノート (3)
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| 13 Sep 2018 |
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| 24 Mar 2020 |
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| 24 Mar 2020 |
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テクニカル･ノート & 技術解説 (1)
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| 08 Sep 2015 |
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フライヤー (3)
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| 23 Mar 2020 |
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セレクションガイド (1)
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パンフレット (2)
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| 23 Mar 2020 |
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| 15 Jun 2018 |
15 Jun 2018
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STTH12S06
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
| Resource title | Latest update | |||
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| ZIP | 03 Dec 2019 |
03 Dec 2019
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STTH12S06FP |
量産中
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TO-220FPAC | インダストリアル | Ecopack2 |
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STTH12S06FP
Package:
TO-220FPACMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STTH12S06FP | 2 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220FPAC | - | - | 175 | CHINA | 0.365 / 500 | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
