製品概要
概要
ST's STTH12S06 is a state of the art Ultrafast recovery diode. By the use of 600 V Pt doping Planar technology, this diode will outperform the power factor correction circuits operating in hardswitching conditions. The extremely low reverse recovery current of the STTH12S06, reduces significantly the switching power losses of the MOSFET, and thus increases the efficiency of the application. This allows designers to reduce the size of their heatsinks.
This device is also intended for applications in power supplies and power conversions systems, and other power switching applications.
-
特徴
- Insulated voltage: 1500 VRMS
- Ultrafast recovery
- Reduces losses in diode and switching transistor
- Low reverse recovery current
- Higher frequency operation
- Low thermal resistance
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
Resource title | バージョン | Latest update |
---|
SPICE models (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
---|---|---|---|---|
ZIP | 10.0 | 29 Apr 2022 | 29 Apr 2022 |
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
STTH12S06FP | 量産中 | TO-220FPAC | インダストリアル | Ecopack2 | |
STTH12S06FP
Package:
TO-220FPACMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | Junction Temperature (°C) (max) | Country of Origin | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小 | 最大 | ||||||||||||||
STTH12S06FP | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FPAC | - | - | 175 | CHINA | | 175 | CHINA |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。