STDES-SICGPHU3

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Testing platform of SiC MOSFET for packages HU3PAK

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製品概要

概要

The testing board contains a half-bridge (HB) structure based on two high voltage SiC MOSFETs. The MOSFETs are controlled by isolated gate drivers, which are supplied by isolated DC-DC converters. The system requires external connections for an inductor, source, load, auxiliary supply, and PWM signals. It can be used for testing operation in buck or boost configuration. It is possible to use a low inductance shunt or assemble a coaxial shunt to measure current through the low side MOSFET. In this perspective, the board can be used as a tool for double pulse test (DPT).

  • 特徴

    • Half Bridge structure assembled by Power SiC MOSFETs in HU3PAK package
    • Both Power MOSFETs are driven by STGAP2HS. Isolated gate drive optimized for SiC MOSFETs
    • Isolated gate drivers are supplied by isolated fly-buck converter based on L6596I
    • Preset 18 V/-3 V supply voltage for output stage of isolated drivers
    • Possibility to set a specific gate voltage positive and negative level
    • Possibility to set gate resistor
    • Low inductance sense resistor
    • Prepared for coaxial shunt resistor for higher bandwidth of current measurement
    • Working voltage up to 1 kV

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード WEEE Compliant 材料宣誓書**
STDES-SICGPHU3
量産中
CARD インダストリアル - はい

STDES-SICGPHU3

Package:

CARD

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

CARD

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

-

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STDES-SICGPHU3
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STGAP2SICSCTR, L6986ITR

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