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GANSPIN611

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高電圧ドライバ内蔵650Vエンハンスメント型GaN高電力密度ハーフブリッジ

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製品概要

概要

GaNベースのモーション制御は、GaNSPINプラットフォームの重点領域です。多くの汎用ソリューションや電力変換用に調整されたソリューションとは異なり、GaNSPINシリーズはモーション制御システムの特定の需要を満たすために特別に設計されています。

GANSPIN611は、2つのエンハンスメント型GaNトランジスタをハーフブリッジ構成で集積し、最先端の高電圧、高速ゲート・ドライバで駆動する高度なパワー・システム・イン・パッケージです。

内蔵のパワーGaNは、RDS(ON)が138mΩ、ドレイン・ソース・ブレークダウン電圧が650Vです。内蔵ゲート・ドライバのハイサイドには、内蔵ブートストラップ・ダイオードから容易に電力を供給できます。

GANSPIN611は、モーション制御向けに設計されており、ハードオンとハードオフの両方で出力dV/dtを10V/ns typ.に最適化します。このことは、EMI、モータ巻線、軸受けの信頼性のためにモータ制御で必要とされます。

堅牢性および信頼性もGaNSPINシリーズの際立った要素です。GaNSPINデバイスには高度な保護機能が組み込まれており、可能な限り最高のシステム堅牢性を保証します。SmartShutdown過電流保護は、組み込みロジックと専用の高速コンパレータにより、可能な限り最速の応答を実現します。

GANSPINには、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にリニア・レギュレータが搭載されており、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。UVLOは、最適な性能を発揮するために、モーション制御用に微調整されています。

GANSPIN611は、小型の9mm x 9mm x 1mmのQFNパッケージで提供され、産業用温度範囲(-40℃~+125℃)で動作します。

GaNSPIN611は、GaNSPIN612(270mΩのRDS(ON))とピン配置互換があり、プラットフォーム・アプローチで拡張性を最大化します。

  • 特徴

    • 高電圧GaNトランジスタと高電圧ゲート・ドライバをハーフブリッジ構成で集積したパワー・システム・イン・パッケージ・ファミリ:
      • RDS(ON) = 138 mΩ
      • IDS(MAX) = 10A
    • 逆導通機能と逆回復損失ゼロ
    • モータ制御向けに調整された、10V/ns typ.の出力dV/dtをハードオンとハードオフの両方で実現
    • 外部で調整可能なターンオンdV/dt
    • ハイサイドとローサイドのドライバ電源電圧を調整するリニア・レギュレータ
    • ブートストラップ・ダイオード内蔵
    • スマート・シャットダウン機能付き過電流検出用コンパレータ
    • VCC、VHS、VLS</2上のUVLO保護
    • インターロック機能、シャットダウン、スタンバイ、フォルトの各ピン
    • 55nsのゲート・ドライバにより、150ns typ.の全体的な出力伝搬遅延を実現
    • ヒステリシスとプルダウン付き3.3V~20Vの互換入力

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GANSPIN611
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GANSPIN611TR
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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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