STDRIVEG611

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High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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製品概要

概要

The STDRIVEG611 is a high-voltage half-bridge gate driver for N‑channel Enhancement Mode GaN.

The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.

High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.

The STDRIVEG611 features supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions and an overcurrent comparator with SmartSD.

The input pins extended range allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows to reduce the power consumption during inactive periods or burst mode.

The STDRIVEG611 operates in the industrial temperature range, -40 °C to 125 °C.

The device is available in a compact QFN 4x5x1 mm package with 0.5 mm pitch.

  • 特徴

    • High voltage rail up to 600 V
    • dV/dt transient immunity ±200 V/ns in full temperature range
    • Driver with separated sink and source path for optimal driving:
      • 2.4 A and 1.2 Ω sink
      • 1.0 A and 3.7 Ω source
    • High-side and low-side linear regulators for 6 V gate driving voltage
    • 5 µs high-side startup time and high frequency (> 1 MHz)
    • 45 ns with 10 ns matching and 15 ns minimum output pulse
    • Hard switching operation and internal bootstrap diode
    • Comparator for overcurrent detection with Smart Shutdown
    • UVLO function on VCC, VHS, and VLS
    • Shutdown, standby, overtemperature with Fault signaling pin
    • Separated PGND for Kelvin source driving and current shunt compatibility
    • 3.3 V to 20 V compatible inputs with hysteresis and pull-down

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STDRIVEG611Q
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QFN-18L インダストリアル Ecopack2
STDRIVEG611QTR
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QFN-18L インダストリアル Ecopack2

STDRIVEG611Q

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QFN-18L

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QFN-18L

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STDRIVEG611QTR

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QFN-18L

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