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GaNは、損失を低減し、スイッチング周波数を高めることで電力密度を向上します。GaNによる設計は、電力変換回路をさらに狭いスペースに収まるように縮小することを意味します。これがコンスーマ･システム、データ･センター、再生可能エネルギー貯蔵システム、産業用機器、EVアプリケーションのエネルギー効率を向上します。GaNパワー･スイッチのメリットを最大限に生かすには、高速遷移や高精度制御に対応するとともに保護機能も内蔵したゲート･ドライバを使用して、GaNパワー･ステージの設計を簡素化する必要があります。
STGAP®およびSTDRIVE®に基づくSTのGaNドライバ･ポートフォリオにはソフトスイッチングとモータ制御の両方のアプリケーションに適用できるハーフブリッジおよび絶縁型ゲート･ドライバのソリューションが用意されています。
アプリケーション
STのGaNゲート･ドライバを使えば、高効率が求められる電力変換や産業用制御システム向けに、高速のスイッチング性能と信頼性の高い保護機能を備えたコンパクトなパワー･ステージを簡単に設計できます。
製品タイプ
メリット
- GaNパワー･ステージに適した高速のスイッチング性能
- 高いdV/dt耐性
- UVLOおよびサーマル･シャットダウン保護機能の内蔵
- インターロックおよび安全状態動作
- スペースに制約のある設計に適したコンパクトなパッケージ
- 電力変換およびモータ制御の両者への適応
- 絶縁型および非絶縁型オプションの提供
- エンハンスメント型GaN FETに合わせた最適化
