STDRIVE® GaNゲート･ドライバは、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル･パワーMOSFET向けのハーフブリッジ･ゲート･ドライバです。
ハイサイド･セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。大電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作できる特徴を備えており、高速GaNやSi FETの駆動用に設計されています。
また、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部に減電圧ロックアウト（UVLO）機能が搭載されているため、効率の低い状態や危険な状態ではパワー･スイッチが動作しません。また、インターロック機能により、貫通電流を防止します。ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。
注目ビデオ
MasterGaN, ST's world first solution to integrate Si driver and 2 GaN power transistors in 1 package
-
STDRIVEG600
High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
-
STDRIVEG600W
High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
