STDRIVE® GaNゲート･ドライバは、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル･パワーMOSFET向けのハーフブリッジ･ゲート･ドライバです。
ハイサイド･セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。大きな電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作でき、ハイスピードGaNやSi FETの駆動用に理想的です。
また、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部に減電圧ロックアウト（UVLO）機能が搭載されているため、効率の低い状態や危険な状態ではスイッチの動作が停止します。また、インターロック機能により、貫通電流を防止します。ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。
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The latest STDRIVEG610 and STDRIVEG611 provide designers with two advanced options to manage GaN devices in power conversion and motion applications.