2STBN15D100

量産中
Design Win

Low voltage NPN power Darlington transistor

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製品概要

概要

The device is manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration.

  • 特徴

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - 2STBN15D100

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
2STBN15D100
量産中
D2PAK インダストリアル Ecopack2

2STBN15D100

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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2STBN15D100
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。