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  • The device is manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration.

    主な特徴

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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2STBN15D100 D2PAK Tape And Reel
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DIGIKEY WORLDWIDE 5778 1 Order Now
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6442
      Low voltage NPN power Darlington transistor
      2.1
      103.42 KB
      PDF
      DS6442

      Low voltage NPN power Darlington transistor

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      2STBN15D100 PSpice model 1.0
      1.12 KB
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      2STBN15D100 PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STBN15D100
アクティブ
D2PAK インダストリアル Ecopack2

2STBN15D100

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

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アクティブ

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D2PAK

Grade

Industrial

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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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