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  • The device is PNP transistor manufactured using new “PB-HDC” (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast-switching speed

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2STF2360 SOT-89 Tape And Reel
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ARROW AMERICA 2500 2500 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 7394 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 4445 1 Order Now
RUTRONIK EUROPE 25000 2500 Order Now

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5164
      Low voltage fast-switching PNP power transistors
      6.0
      193.07 KB
      PDF
      DS5164

      Low voltage fast-switching PNP power transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STF2360
アクティブ
SOT-89 インダストリアル Ecopack2

2STF2360

Package:

SOT-89

Material Declaration**:

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アクティブ

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SOT-89

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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