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  • The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    The complementary PNP is the 2STR2160.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast switching speed
    • Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

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製品型番
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2STR1160 SOT-23 Tape And Reel
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地域 在庫 最小発注 Third party link
FUTURE WORLDWIDE 6000 3000 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 11157 1 Order Now

代理店レポートによる在庫データ: 2019-12-04

代理店名

FUTURE

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3000

地域

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MOUSER

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11157

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1

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代理店レポートによる在庫データ: 2019-12-04

購入

2STR1160

パッケージ

SOT-23

梱包タイプ

Tape And Reel

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代理店名
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FUTURE WORLDWIDE 6000 3000 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 11157 1 Order Now

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代理店名

FUTURE

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MOUSER

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製品ステータス

アクティブ

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数量

500

ECCN (US)

EAR99

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CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5711
      Low voltage fast-switching NPN power transistor
      3.0
      373.67 KB
      PDF
      DS5711

      Low voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STR1160
アクティブ
SOT-23 インダストリアル Ecopack2

2STR1160

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

SOT-23

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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