製品概要
概要
The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP is the 2STR2160.
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機能一覧
- Very low collector-emitter saturation voltage
- High current gain characteristic
- Fast switching speed
- Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - 2STR1160
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Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2STR1160 | Active 交換品交換品 | SOT-23 | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
Sample & Buy
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| Budgetary Price (US$)*/Qty | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2STR1160 | 3 distributors | Active | SOT-23 | Tape and Reel | SINGAPORE | EAR99 | NEC | - | - | |
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。