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  • The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    The complementary NPN is the 2STR1160.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast switching speed
    • Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

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2STR2160 SOT-23 Tape And Reel
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS5868
      Low voltage fast-switching PNP power transistor
      3.0
      366.66 KB
      PDF
      DS5868

      Low voltage fast-switching PNP power transistor

    • 概要 Version Size Action
      AN3288
      g-Brake Lights: an adaptive rear lighting system based on the AIS326DQ inertial sensor and the STM8AF5168 MCU
      2.1
      1.05 MB
      PDF
      AN3288

      g-Brake Lights: an adaptive rear lighting system based on the AIS326DQ inertial sensor and the STM8AF5168 MCU

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STR2160
Active
SOT-23 インダストリアル Ecopack2

2STR2160

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

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SOT-23

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Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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