2STR2160

量産中
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Low voltage fast-switching PNP power transistor

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製品概要

概要

The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

The complementary NPN is the 2STR1160.

  • 特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • High current gain characteristic
    • Fast switching speed
    • Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - 2STR2160

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
2STR2160
量産中
SOT-23 インダストリアル Ecopack2

2STR2160

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

SOT-23

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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