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  • The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

    主な特徴

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS0845
      Complementary power Darlington transistors
      4.2
      83.04 KB
      PDF
      DS0845

      Complementary power Darlington transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
BDX54C
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TO-220AB インダストリアル Ecopack2

BDX54C

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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TO-220AB

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Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.