製品概要
概要
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial planar technology. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
-
特徴
- High voltage capability
- Very high switching speed
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - BUL1102E
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EDAシンボル
フットプリント
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUL1102E | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | - | 2024-06-10T00:00:00.000+02:00 | |
| BUL1102EFP | 量産中 | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | - | 2024-06-10T00:00:00.000+02:00 | |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| BUL1102EFP | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
| BUL1102E | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
BUL1102EFP 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
BUL1102E 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。