製品概要
概要
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial planar technology. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA. Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.-
特徴
- High voltage capability
- Very high switching speed
注目ビデオ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - BUL1102E
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| BUL1102E |
量産中
|
TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | |
| BUL1102EFP |
量産中
|
TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| BUL1102EFP | 1 distributors |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -65 | 150 | CHINA | |||
| BUL1102E | 2 distributors | Buy Direct |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | -65 | 150 | CHINA | ||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
