Product overview
概要
This is a high voltage fast switching NPN power transistor manufactured in multi epitaxial planar technology. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining a wide RBSOA.
Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand a high collector current level during breakdown condition, without using the Transil™ protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.
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All features
- High voltage capability
- Very high switching speed
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - BUL1102E
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Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUL1102E | Active 交換品交換品 | TO-220 | Industrial | Ecopack2 | - | 2024-06-10T00:00:00.000+02:00 | |
| BUL1102EFP | Active 交換品交換品 | TO-220FP | Industrial | Ecopack2 | - | 2024-06-10T00:00:00.000+02:00 | |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| BUL1102EFP | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
| BUL1102E | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
BUL1102EFP Active
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BUL1102E Active
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。