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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

    The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主な特徴

    • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • STMicroelectronics PREFERRED SALES TYPE
    • HIGH VOLTAGE CAPABILITY
    • NPN TRANSISTOR
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

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BUL128D-B TO-220AB Tube
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS1564
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      5.2
      225.2 KB
      PDF
      DS1564

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
BUL128D-B
Active
TO-220AB インダストリアル Ecopack2

BUL128D-B

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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