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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
    The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主な特徴

    • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
    • HIGH VOLTAGE CAPABILITY
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

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BULD118D-1 IPAK Tube
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS1154
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      3.2
      257.44 KB
      PDF
      DS1154

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
BULD118D-1
アクティブ
IPAK インダストリアル Ecopack2

BULD118D-1

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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アクティブ

Package

IPAK

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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