MJD112T4
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Low voltage NPN power Darlington transistor

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製品概要

概要

These devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.

  • 機能一覧

    • Good hFE linearity
    • High fT frequency
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode

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STMicroelectronics - MJD112T4

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Quality and Reliability

Part Number Marketing Status Package Grade RoHSコンプライアンスグレード Longevity Commitment Longevity Starting Date Material Declaration**
MJD112T4
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DPAK Industrial Ecopack2 10 2024-06-10T00:00:00.000+02:00

MJD112T4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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MJD112T4 Active

Budgetary Price (US$)*/Qty:
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Package:
Packing Type:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

Part Number:

MJD112T4

Operating Temperature (°C) (max):

150

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。