SCT040H65G3AG

量産中
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650V、40mΩ(Typ.)、30Aの車載用SiCパワーMOSFETをH²PAK-7パッケージで提供

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製品概要

概要

本SiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETは、STの先進的かつ革新的な第3世代のSiC MOSFETテクノロジーを駆使して開発されました。本デバイスは、温度範囲全体でRDS(on)がきわめて低く、低キャパシタンス(静電容量)かつ優れたスイッチング動作にも対応していることから、周波数、エネルギー効率、システム・サイズ、および軽量化の面で、アプリケーション・パフォーマンスを全体的に高められます。

  • 特徴

    • AEC-Q101準拠
    • 温度範囲全体できわめて低いRDS(on)
    • ハイスピード・スイッチング性能
    • 高速かつ堅牢なボディ・ダイオードを内蔵
    • 高効率を実現するソース・センシング・ピン

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SCT040H65G3AG

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT040H65G3AG
量産中
H2PAK-7 オートモーティブ Ecopack1

SCT040H65G3AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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RoHS
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SCT040H65G3AG
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。