製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.-
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very low RDS(on) over the entire temperature range
- High speed switching performances
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Source sensing pin for increased efficiency
注目ビデオ
SiC can be applied to all types of energy handling
すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
製品スペック (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.0 | 01 Feb 2022 | 01 Feb 2022 |
アプリケーションノート (3)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 06 Jul 2021 | 06 Jul 2021 | ||
| 1.0 | 15 Jul 2019 | 15 Jul 2019 | ||
| 1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技術ノート & 解説 (3)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.2 | 06 Jul 2021 | 06 Jul 2021 | ||
| 1.0 | 19 Nov 2021 | 19 Nov 2021 | ||
| 1.0 | 22 Sep 2020 | 22 Sep 2020 |
ユーザ･マニュアル (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
フライヤ (5 of 6)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 20 Jan 2022 | 20 Jan 2022 | ||
| 1.0 | 08 May 2020 | 08 May 2020 | ||
| 1.0 | 01 Feb 2021 | 01 Feb 2021 | ||
| 1.0 | 14 Oct 2020 | 14 Oct 2020 | ||
| 1.1 | 15 May 2020 | 15 May 2020 | ||
| 3.0 | 01 Apr 2022 | 01 Apr 2022 |
パンフレット (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 23 Aug 2021 | 23 Aug 2021 |
カンファレンス･ペーパー (5 of 8)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 29 Apr 2021 | 29 Apr 2021 | ||
| 1.0 | 23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SCT040H65G3AG
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT040H65G3AG | 量産中 | H2PAK-7 | オートモーティブ | Ecopack1 | |
SCT040H65G3AG
Package:
H2PAK-7Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SCT040H65G3AG | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-7 | - | - | ITALY | | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。