Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

データシート ダウンロード

Order a free sample and buy from our distributors

サンプル & 購入
概要
ツール & ソフトウェア
リソース
ソリューション
品質 & 信頼性
Sales Briefcase
eDesignSuite
Get Started
サンプル & 購入
Partner products
  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
数量
ECCN (US)
Country of Origin
販売代理店からオーダー
STからオーダー
SCT10N120 HIP247 Tube
アクティブ
8 1000 EAR99 CHINA 在庫チェック

Distributor availability ofSCT10N120

代理店名
地域 在庫 最小発注 Third party link
DIGIKEY WORLDWIDE 138 1 Order Now
ARROW AMERICA 3131 600 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 264 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 570 1 Order Now

代理店レポートによる在庫データ: 2019-10-10

代理店名

DIGIKEY

在庫

138

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE Order Now

ARROW

在庫

3131

Min.Order

600

地域

AMERICA Order Now

MOUSER

在庫

264

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE Order Now

Farnell Element14

在庫

570

Min.Order

1

地域

EUROPE Order Now

代理店レポートによる在庫データ: 2019-10-10

サンプル入手

SCT10N120

パッケージ

HIP247

梱包タイプ

Tube

Unit Price (US$)

8.0*

Distributor availability ofSCT10N120

代理店名
地域 在庫 最小発注 Third party link
DIGIKEY WORLDWIDE 138 1 Order Now
ARROW AMERICA 3131 600 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 264 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 570 1 Order Now

代理店レポートによる在庫データ: 2019-10-10

代理店名

DIGIKEY

在庫

138

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE Order Now

ARROW

在庫

3131

Min.Order

600

地域

AMERICA Order Now

MOUSER

在庫

264

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE Order Now

Farnell Element14

在庫

570

Min.Order

1

地域

EUROPE Order Now

代理店レポートによる在庫データ: 2019-10-10

製品ステータス

アクティブ

Unit Price (US$)

8

数量

1000

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office  or our Distributors

推奨コンテンツ

関連アプリケーション

電源 & コンバータ

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10954
      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package
      3.0
      232.26 KB
      PDF
      DS10954

      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
      1.1
      555.54 KB
      PDF
      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
      PDF
      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
      416.3 KB
      PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      AN3152

      The right technology for solar converters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
      PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SCT10N120 PSpice model 1.0
      5.29 KB
      ZIP

      SCT10N120 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      401.67 KB
      PDF
      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      651.11 KB
      PDF

      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
      PDF
      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
      PDF
      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
      PDF

      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT10N120
アクティブ
HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCT10N120

Package:

HIP247

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.