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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      UM1575

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT20N120
量産中
HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCT20N120

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HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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量産中

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EAR99

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