SCT20N120

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package

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概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • All features

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT20N120
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HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCT20N120

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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SCT20N120

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パッケージ

HIP247

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(最小)

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(最大)

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10.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。