SCT30N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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    • 概要 Version Size Action
      DS9011
      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package
      11.0
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    • 概要 Version Size Action
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      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
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      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
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      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
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      AN4671

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      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      SCT30N120 PSpice model 2.0
      6.92 KB
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      SCT30N120 PSpice model

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCT30N120
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HIP247 Industrial Ecopack2

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Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Industrial

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