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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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技術文書

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SCTH35N65G2V-7
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H2PAK-7

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量産中

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H2PAK-7

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Industrial

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SCTH35N65G2V-7

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