SCTH60N120G2-7

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Source sensing pin for increased efficiency

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STMicroelectronics - SCTH60N120G2-7

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フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH60N120G2-7
量産中
H2PAK-7 インダストリアル Ecopack1

SCTH60N120G2-7

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-7

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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SCTH60N120G2-7

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-7 - - CHINA 17.0 / 100

SCTH60N120G2-7

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

17.0 / 100

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

17.0 / 100

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。