SCTH90N65G2V-7

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH90N65G2V-7
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H2PAK-7 Industrial Ecopack2

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