SCTH90N65G2V-7

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

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概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • All features

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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STMicroelectronics - SCTH90N65G2V-7

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTH90N65G2V-7
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H2PAK-7 インダストリアル Ecopack2

SCTH90N65G2V-7

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-7

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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SCTH90N65G2V-7

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梱包タイプ

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パッケージ

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

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-

(最大)

-

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29.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。