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SCTW100N65G2AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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SCTW100N65G2AG HIP247 Tube
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SCTW100N65G2AG

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HIP247

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1200 V SiC MOSFETs
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Industry's highest temperature rating of 200 °C

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技術文書

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      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package       		2.0
      419.43 KB
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      DS11643

      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW100N65G2AG
Active
HIP247 オートモーティブ Ecopack2

SCTW100N65G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

Active

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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