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SCTW100N65G2AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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SCTW100N65G2AG HIP247 Tube
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1200 V SiC MOSFETs
1200 V SiC MOSFETs

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS11643
      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package       		2.0
      419.43 KB
      		PDF
      DS11643

      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses       		1.1
      555.54 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
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      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
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      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

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      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      		SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
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      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW100N65G2AG
量産中
HIP247 Automotive Ecopack2

SCTW100N65G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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量産中

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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