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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2^nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

主な特徴
- AEC-Q101 qualified
- Very high operating temperature capability (T_J = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
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技術文書

製品スペック

	概要	バージョン	サイズ	アクション
	DS11643 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package	2.0	419.43 KB	PDF

DS11643

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

PDF

アプリケーションノート

概要	バージョン	サイズ	アクション
AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses	1.1	555.54 KB	PDF
AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp	1.0	6.39 MB	PDF
AN3152 The right technology for solar converters	1.4	416.3 KB	PDF

AN4671

How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

PDF

AN5355

Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

PDF

AN3152

The right technology for solar converters

PDF

テクニカル･ノート & 技術解説

	概要	バージョン	サイズ	アクション
	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs	2.2	2.34 MB	PDF

TA0349

Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

PDF

ユーザマニュアル
- 概要バージョンサイズアクション
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	概要	バージョン	サイズ	アクション
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

関連資料

フライヤー

概要	バージョン	サイズ	アクション
ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS	1.0	305.22 KB	PDF
SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching	1.0	282.72 KB	PDF
SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching	3.0	651.11 KB	PDF

ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

PDF

SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching

PDF

SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

PDF

パンフレット
- 概要バージョンサイズアクション
  
  Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
  1.03 MB
  PDF
  
  Electric vehicle (EV) ecosystem
  
  PDF

	概要	バージョン	サイズ	アクション
	Electric vehicle (EV) ecosystem	1.1	1.03 MB	PDF

カンファレンスペーパー

概要	バージョン	サイズ	アクション
3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices	1.0	760.82 KB	PDF
Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter	1.0	1.8 MB	PDF
Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs	1.0	582.21 KB	PDF
SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters	1.0	1.06 MB	PDF
Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films	1.0	980.73 KB	PDF
Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate	1.0	1.35 MB	PDF
Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics	1.0	792.49 KB	PDF