概要
サンプル & 購入
ソリューション
リソース
ツール & ソフトウェア
品質 & 信頼性
eDesignSuite
はじめる
Partner products
Sales Briefcase
  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

推奨コンテンツ

評価ツール

    • 製品型番

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

      15 kW, three-phase Vienna rectifier with low cost mixed-signal control for power factor correction

      3.6 kW PFC totem pole with inrush current limiter reference design using TN3050H-12WY and SCTW35N65G2V

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12076
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
      4.0
      392.12 KB
      PDF
      DS12076

      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
      1.1
      555.54 KB
      PDF
      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
      PDF
      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
      416.3 KB
      PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      AN3152

      The right technology for solar converters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
      PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF
      STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      339.41 KB
      PDF
      SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      282.72 KB
      PDF
      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      651.11 KB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
      PDF
      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
      PDF
      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
      PDF

      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2V
量産中
HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW35N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
SCTW35N65G2V Available at 5 distributors

販売代理店在庫SCTW35N65G2V

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
DIGIKEY WORLDWIDE 588 1 発注する
ARROW EUROPE 430 0 発注する
MOUSER WORLDWIDE 496 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 30 1 発注する
RUTRONIK EUROPE 22 30 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-04

代理店名

DIGIKEY

在庫

588

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE 発注する

ARROW

在庫

430

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

MOUSER

在庫

496

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE 発注する

Farnell Element14

在庫

30

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

RUTRONIK

在庫

22

Min.Order

30

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-04

サンプル & 購入 購入
量産中
EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA 16.0 / 1k

SCTW35N65G2V

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

16.0 / 1k

販売代理店在庫SCTW35N65G2V

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
DIGIKEY WORLDWIDE 588 1 発注する
ARROW EUROPE 430 0 発注する
MOUSER WORLDWIDE 496 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 30 1 発注する
RUTRONIK EUROPE 22 30 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-04

代理店名

DIGIKEY

在庫

588

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE 発注する

ARROW

在庫

430

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

MOUSER

在庫

496

Min.Order

1

地域

WORLDWIDE 発注する

Farnell Element14

在庫

30

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

RUTRONIK

在庫

22

Min.Order

30

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-04

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

16.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。