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SCTW35N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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SCTW35N65G2V HIP247 Tube
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16 1000 EAR99 CHINA 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

SCTW35N65G2V

パッケージ

HIP247

梱包タイプ

Tube
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製品ステータス

アクティブ

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16

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1000

ECCN (US)

EAR99

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CHINA

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1200 V SiC MOSFETs
1200 V SiC MOSFETs

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS12076
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package       		3.0
      391.35 KB
      		PDF
      DS12076

      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses       		1.1
      555.54 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
      6.39 MB
      		PDF
      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
      416.3 KB
      		PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      PDF
      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      PDF
      AN3152

      The right technology for solar converters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

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      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
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      		SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2V
アクティブ
HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW35N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.