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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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SCTW35N65G2V HIP247 Tube
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16 1000 EAR99 CHINA

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SCTW35N65G2V

パッケージ

HIP247

梱包タイプ

Tube

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アクティブ

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16

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1000

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EAR99

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CHINA

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評価ツール

    • 製品型番

      15 kW, three-phase, three-level Active Front End (AFE) bidirectional converter for industrial and electric vehicle DC fast charging applications

      3.6 kW PFC totem pole with inrush current limiter reference design using TN3050H-12WY and SCTW35N65G2V

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12076
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
      3.0
      391.35 KB
      PDF
      DS12076

      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
      1.1
      555.54 KB
      PDF
      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
      PDF
      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
      416.3 KB
      PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      AN3152

      The right technology for solar converters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
      PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      401.67 KB
      PDF
      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      651.11 KB
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
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      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
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      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

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      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
SCTW35N65G2V
アクティブ
HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW35N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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