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SCTW35N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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製品型番
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概算価格（USS）
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ECCN (US)
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販売代理店からオーダー
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SCTW35N65G2V HIP247 Tube
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16 1000 EAR99 CHINA

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SCTW35N65G2V

パッケージ

HIP247

梱包タイプ

Tube
詳細情報

Unit Price (US$)

16.0*

製品ステータス

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Unit Price (US$)

16

Quantity

1000

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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1200 V SiC MOSFETs
1200 V SiC MOSFETs

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS12076
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package       		4.0
      392.12 KB
      		PDF
      DS12076

      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses       		1.1
      555.54 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
      6.39 MB
      		PDF
      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
      416.3 KB
      		PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      PDF
      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      PDF
      AN3152

      The right technology for solar converters

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      		SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      515.17 KB
      		PDF
      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      651.11 KB
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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    • 概要 Version Size Action
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
    • 概要 Version Size Action
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      		PDF
      		Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
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      1.35 MB
      		PDF
      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2V
Active
HIP247 Industrial Ecopack2

SCTW35N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Marketing Status

Active

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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