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SCTW35N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

  • 特徴

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - SCTW35N65G2V

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング･ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW35N65G2V
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HIP247 インダストリアル Ecopack2

SCTW35N65G2V

Package:

HIP247

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Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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STから購入
製品ステータス
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SCTW35N65G2V

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Country of Origin

CHINA

（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。