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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
主な特徴
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitances
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製品スペック (1)
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| 25 Sep 2020 |
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アプリケーションノート (3)
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| 21 Aug 2015 |
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| 15 Jul 2019 |
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| 13 Sep 2018 |
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テクニカル･ノート & 技術解説 (2)
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| 23 Feb 2015 |
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| 22 Sep 2020 |
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ユーザマニュアル (1)
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| 21 Oct 2016 |
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フライヤー (5)
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| 08 May 2020 |
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| 22 Jul 2020 |
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| 14 Oct 2020 |
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| 15 May 2020 |
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パンフレット (1)
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| 23 Mar 2020 |
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カンファレンスペーパー (5 of 7)
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| 23 Jul 2018 |
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| 23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCTW90N65G2V
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTW90N65G2V |
量産中
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HIP247 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SCTW90N65G2V | 4 distributors |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | HIP247 | - | - | CHINA | 39.0 / 1k | ||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
39.0 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
