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SCTW90N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances
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1200 V SiC MOSFETs
1200 V SiC MOSFETs

Industry's highest temperature rating of 200 °C

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS11832
      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package       		5.0
      397.46 KB
      		PDF
      DS11832

      Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

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    • 概要 Version Size Action
      		AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses       		1.1
      555.54 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
      6.39 MB
      		PDF
      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
      416.3 KB
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      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

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      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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      AN3152

      The right technology for solar converters

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    • 概要 Version Size Action
      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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関連資料

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      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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    • 概要 Version Size Action
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

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    • 概要 Version Size Action
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      		SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
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      		Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
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      		Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
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      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTW90N65G2V
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HIP247 Industrial Ecopack2

SCTW90N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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