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SCTW90N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2^nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

特徴
- Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitances
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製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS11832 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 5.0		29 Jul 2019	29 Jul 2019 DS11832 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 5.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
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PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	15 Jul 2019	15 Jul 2019 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

技術ノート & 解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		03 Apr 2020	03 Apr 2020 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		22 Sep 2020	22 Sep 2020 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザ･マニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		21 Oct 2016	21 Oct 2016 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤ (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	08 May 2020	08 May 2020 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	22 Jul 2020	22 Jul 2020 STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	14 Oct 2020	14 Oct 2020 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1	15 May 2020	15 May 2020 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンス･ペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCTW90N65G2V	量産中	HIP247	インダストリアル	Ecopack2	PDF XML

SCTW90N65G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

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Marketing Status

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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サンプル & 購入

製品型番

販売代理店からオーダー

STからオーダー

製品ステータス

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ECCN (EU)

梱包タイプ

パッケージ

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Farnell Element14	EUROPE	152	1	発注する

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代理店名

Farnell Element14

在庫

152

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地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2021-01-14

EAR99

NEC

Tube

HIP247

CHINA

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SCTW90N65G2V

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

詳細情報

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39.0 / 1k

販売代理店在庫SCTW90N65G2V

代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
Farnell Element14	EUROPE	152	1	発注する

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代理店名

Farnell Element14

在庫

152

Min.Order

地域

EUROPE 発注する

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

(最大)

Budgetary Price (US$)* / Qty

39.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

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