SCTWA20N120

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package

データシートのダウンロード

Order from our distributors

Check availability
概要
ツール & ソフトウェア
リソース
ソリューション
品質 & 信頼性
Sales Briefcase
eDesignSuite
はじめる
サンプル & 購入
Partner products
  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Slight variation of switching losses vs. temperature
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Approximate Price (US$)* / Qty
STからオーダー
販売代理店からオーダー
SCTWA20N120 TO-247 long leads Tube
量産中
EAR99 CHINA 13.15 / 1k 在庫チェック

販売代理店在庫SCTWA20N120

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
ARROW EUROPE 300 0 発注する
RUTRONIK EUROPE 30 30 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-03-27

代理店名

ARROW

在庫

300

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

RUTRONIK

在庫

30

Min.Order

30

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-03-27

SCTWA20N120

パッケージ

TO-247 long leads

梱包タイプ

Tube

Approximate Price (US$)* / Qty

13.15 / 1k

販売代理店在庫SCTWA20N120

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
ARROW EUROPE 300 0 発注する
RUTRONIK EUROPE 30 30 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-03-27

代理店名

ARROW

在庫

300

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

RUTRONIK

在庫

30

Min.Order

30

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-03-27

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

13.15 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

推奨コンテンツ

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11689
      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package
      1.0
      685.79 KB
      PDF
      DS11689

      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4671
      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
      1.1
      555.54 KB
      PDF
      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
      PDF
      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
      416.3 KB
      PDF
      AN4671

      How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses

      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      AN3152

      The right technology for solar converters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
      PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      515.17 KB
      PDF
      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      651.11 KB
      PDF

      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
      PDF
      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
      PDF
      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
      PDF

      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA20N120
量産中
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

SCTWA20N120

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サポート &フィードバック