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SCTWA20N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package

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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

特徴
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (T_J = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
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All resources

製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS11689 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package 1.0		01 Jan 1970	01 Jan 1970 DS11689 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C) N-channel in a HiP247 long leads package 1.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1
PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	01 Jan 1970	01 Jan 1970 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

技術ノート & 解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		01 Jan 1970	01 Jan 1970 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		01 Jan 1970	01 Jan 1970 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザ･マニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		01 Jan 1970	01 Jan 1970 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤ (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		01 Jan 1970	01 Jan 1970 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンス･ペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	01 Jan 1970	01 Jan 1970 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

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品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCTWA20N120	量産中	HIP247 long leads	インダストリアル	Ecopack2	PDF XML

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Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

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代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
DIGIKEY	WORLDWIDE	600	1	発注する
RS COMPONENTS	EUROPE	53	1	発注する
ARROW	EUROPE	300	0	発注する
MOUSER	WORLDWIDE	39	1	発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2021-01-18

代理店名

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RS COMPONENTS

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HIP247 long leads

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10.5 / 1k

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製品ステータス

量産中

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詳細情報

Budgetary Price (US$)*/Qty

10.5 / 1k

販売代理店在庫SCTWA20N120

代理店名	地域	在庫	最小発注	パートナー企業リンク
DIGIKEY	WORLDWIDE	600	1	発注する
RS COMPONENTS	EUROPE	53	1	発注する
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代理店名

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梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247 long leads

Operating Temperature (°C)

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10.5 / 1k

Country of Origin

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