製品概要
概要
The SGT105R70ILB is a 700 V, 21.7 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
-
特徴
- Enhancement mode normally off transistor
- Very high switching speed
- High power management capability
- Extremely low capacitances
- Kelvin source pad for optimum gate driving
- Zero reverse recovery charge
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - SGT105R70ILB
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT105R70ILB | 開発中 | POWERFLAT 8X8 HV FOR POWERGAN | インダストリアル | Ecopack1 | - | - | |
SGT105R70ILB
Package:
POWERFLAT 8X8 HV FOR POWERGANMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT105R70ILB | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SGT105R70ILB 開発中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。