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STB28N60DM2

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N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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  • These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. They offer very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS10659
      N-channel 600 V, 0.13 Ω typ., 21 A MDmesh™ DM2 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages       		5.0
      1.07 MB
      		PDF
      DS10659

      N-channel 600 V, 0.13 Ω typ., 21 A MDmesh™ DM2 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection       		1.0
      1.4 MB
      		PDF
      		AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter       		1.4
      446.79 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      PDF
      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STB28N60DM2 PSpice model 1.0
      10.4 KB
      		ZIP

      STB28N60DM2 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode 1.0
      342.97 KB
      		PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB28N60DM2
アクティブ
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB28N60DM2

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

アクティブ

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.