ブレークダウン電圧範囲が250V～650VであるSTのMDmesh™スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、最小12mΩ（650V）のきわめて低いオン抵抗（RDS(on)）をMAX-247パッケージで実現しています。また、ブレークダウン電圧が600Vである最新のSTMESHトレンチ･スーパージャンクション（SJ）ファミリ（標準バージョンおよび高速バージョン）も取り揃えています。
STPOWER パワーMOSFET標準シリーズ
対象とする回路トポロジやアプリケーションに応じて、さまざまな専用製品シリーズをご用意しています。汎用性と柔軟性の高いテクノロジーにより、システム設計者は、以前のシリーズ（M2、M5、M6）から、高電力密度システムで大規模に使用されている、ハード･スイッチング･トポロジと共振トポロジの両方に適した最新のM9までの広範囲な選択肢が与えられます。さらに、高出力アプリケーションで使用されるハード･スイッチング･トポロジに主に適したSTMESHトレンチ･ファミリのTシリーズも提供しています。
STPOWER MOSFETファスト･リカバリ･ボディ･ダイオード･シリーズ
さらに、MDmeshシリーズには、ファスト･リカバリ･ダイオードを内蔵したバージョン（DM2、DM6、DM9）も取り揃えています。標準プロセスに関して追加されたプラチナ拡散工程によって、統合型ボディ･ダイオードの性能が向上し、逆回復時間trrおよび逆回復電荷Qrrが減るとともにdv/dt（DMxシリーズ）が向上しました。これらの特徴はすべて、ブリッジやハイパワーの位相シフト回路に最適です。
STの200V～700Vの幅広いSTPOWER MOSFET製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命のカスタマイズされた高効率のアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
