STB80N4F6AG

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Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11103
      Automotive-grade N-Channel 40 V, 5.5 mΩ typ.,80 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a D²PAK package
      2.0
      849.86 KB
      PDF
      DS11103

      Automotive-grade N-Channel 40 V, 5.5 mΩ typ.,80 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a D²PAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      UM1575

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB80N4F6AG
量産中
D2PAK オートモーティブ Ecopack1

STB80N4F6AG

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
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Budgetary Price (US$)*/Qty
STB80N4F6AG

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購入 D2PAK Tape And Reel
量産中
EAR99 CHINA

STB80N4F6AG

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。