製品概要
概要
これらの高電圧デバイスは、定評あるPowerMESHの最適化であるSTのSuperMESHテクノロジーを用いて開発されたツェナー･ダイオードによって保護されたNチャネル･パワーMOSFETです。オン抵抗の大幅な低減に加え、これらのデバイスは、最も要求の厳しいアプリケーション向けに高レベルのdv/dt特性を確保するように設計されています。
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特徴
- 100%アバランシェ試験済み
- ゲート電荷の最小化
- 非常に低い固有静電容量
- ツェナー･ダイオードによる保護
注目ビデオ
ST offers high-voltage MDmesh M6 & M9 STPOWER MOSFETs in a new compact, thermally efficient package: the TO-LL surface-mounted package offers high electrical and thermal efficiency, compactness and space saving in power conversion applications like SMPS, data centers and solar microinverters. Thanks to the additional Kelvin-source lead, designers can achieve better efficiency due to reduced turn-on/turn-off switching losses.
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STB9NK50ZT4
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB9NK50ZT4 | 量産中 | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STB9NK50ZT4 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。