製品概要
概要
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
-
特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD10P10F6
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 13 Jan 2016 | 13 Jan 2016 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
Don't show this again
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（℃） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STD10P10F6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STD10P10F6 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
パッケージ:
DPAK
梱包タイプ:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
Don't show this again
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。