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STD10P10F6

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P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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STD10P10F6

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS10343
      P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package       		2.0
      774.91 KB
      		PDF
      DS10343

      P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STD10P10F6 PSpice model 1.0
      9.04 KB
      		ZIP

      STD10P10F6 PSpice model

      ZIP
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD10P10F6
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DPAK インダストリアル Ecopack2

STD10P10F6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.