N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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    • 製品型番

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS11674
      N-channel 600 V, 0.370 Ω typ., 10 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a DPAK package
      1.0
      816.52 KB
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      DS11674

      N-channel 600 V, 0.370 Ω typ., 10 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a DPAK package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
      PDF
      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

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      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode 1.0
      342.97 KB
      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2: ST’s new MOSFET series with integrated fast-recovery body diode

    • Description バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD11N60DM2
Active
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD11N60DM2

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.