製品概要
概要
This N-channel enhancement mode Power MOSFET benefits from the latest refinement of STMicroelectronics' unique “single feature size“ strip-based process, which decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
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特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Extremely low gate charge
- Exceptional dv/dt capability
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
Resource title | バージョン | Latest update |
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SPICE models (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
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ZIP | 1.0 | 23 Aug 2022 | 23 Aug 2022 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STD25NF20 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | - | - | CHINA | |
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。