製品概要
概要
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
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特徴
- Industry’s lowest RDS(on)x area
- Industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
注目ビデオ
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
Ideal for resonant-type power supplies
推奨コンテンツ
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD4N80K5
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STD4N80K5 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | - | - | CHINA | | ||
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