製品概要
概要
These devices utilize the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.-
特徴
- Extremely low gate charge
- Ultra low on-resistance
- Low gate input resistance
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
All tools & software
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小 | 最大 | |||||||||||
STD80N10F7 | 1 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | DPAK | - | - | CHINA | |
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。