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STD80N10F7

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N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

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  • These devices utilize the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • Extremely low gate charge
    • Ultra low on-resistance
    • Low gate input resistance
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      量産中

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

      		 ファインダ･アプリ ST
      STPOWER MOSFET Finder

      概要:

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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製品スペック (1)

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Latest update
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09 Oct 2020
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DS10162 N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220 1.0

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13 Sep 2018
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23 Jan 2019
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21 Oct 2016
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25 Sep 2019
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08 May 2020
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13 Jun 2019
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23 Mar 2020
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3D model

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD80N10F7
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STD80N10F7

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
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パッケージ
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STD80N10F7

製品ステータス

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EAR99
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パッケージ

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1.3 / 1k

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。