製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
-
特徴
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STD9N80K5
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 18 Mar 2016 | 18 Mar 2016 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
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| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（℃） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STD9N80K5 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STD9N80K5 量産中
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
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販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
パッケージ:
DPAK
梱包タイプ:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。