製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
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特徴
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
すべてのリソース
タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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ZIP | 1.0 | 18 Mar 2016 | 18 Mar 2016 |
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度(℃) | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||||
STD9N80K5 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | DPAK | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - |
STD9N80K5 量産中
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。