STFW8N120K5

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N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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  • This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

    主な特徴

    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best FoM (figure of merit)
    • Ultra-low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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      N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
      2.0
      298.53 KB
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      DS12562

      N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

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    • 概要 Version Size Action
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

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      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STFW8N120K5
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TO-3PF Industrial Ecopack1

STFW8N120K5

Package:

TO-3PF

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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