STFW8N120K5

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N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

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  • This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

    主な特徴

    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best FoM (figure of merit)
    • Ultra-low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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      2.0
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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
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      1.3
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STFW8N120K5
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TO-3PF Industrial Ecopack1

STFW8N120K5

Package:

TO-3PF

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TO-3PF

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Industrial

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Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください