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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
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製品スペック (1)
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08 Oct 2018 |
08 Oct 2018
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フライヤ (1)
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04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STG20M65F2D7 |
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量産中
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EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | -55 | 175 | CHINA |
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。