STG20M65F2D7

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650 V, 20 A trench gate field-stop M series low loss IGBT in D7 packing

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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技術文書

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      DS12315
      650 V, 20 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing
      2.0
      187.55 KB
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      DS12315

      650 V, 20 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D7 packing

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製品型番 製品ステータス グレード 材料宣誓書**
STG20M65F2D7
量産中
Industrial

STG20M65F2D7

Package:

Industrial

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Grade

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