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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Tight parameter distribution
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STG20M65F2D7 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | -55 | 175 | CHINA | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
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